日前，日本一工程师团队宣称，发明了一种绝缘衬底剥离方法，通过将器件样品整个浸入到一种温度115°C、压强170 KPa的水环境中，然后将AlGaN LED器件从衬底上分离出来。这种方法由日本明治大学、三重大学和大阪大学合作开发，能够让AlGaN LED像使用激光剥离技术剥离出高功率GaN器件一样轻松剥离。
谈起该剥离工艺的研发，作为该合作项目的发言人、日本明治大学的岩屋元明表示，该方法源于一名学生在加工前加热和清洁器件晶片时的思考。当时，该学生发现晶片的一部分发生了剥落，为了进一步了解发生了什么，因此在各种显微镜下作了更细的研究。同时其表示，目前市场和学术界关于水与AlN以及AlGaN单晶反应的报道很少，但晶片确有剥落，故此推测AlN可能和AlGaN的氮表面发生了反应，便试想这一现象是否适用于AlGaN LED器件从基底剥离。
基于这一想法，日本工程师团队便开始考虑如何将水渗透到几百纳米大小的晶体间隙中。最初，各种尝试都受到水的表面张力的阻碍。为了解决这一问题，研究小组提出了一种新的方法，将样品浸入装满水的烧杯中，然后再将其放入一个密闭的聚碳酸酯容器中，该容器被排空，真空保持5小时。
上图显示了AlGaN基异质结构的横截面透射电子显微镜图像，表明AlN纳米柱区域已经发生了剥离。
岩屋元明表示，整个方案成功的关键主要还是在于加压水的使用，从透射电子显微镜上看，团队制造的1cm2样品，几乎没有额外的位错。基于此，如果对实验方法再作一些优化，将能够用于AlGaN基器件的批量生产。
该日本团队未来的研究计划包括：具体阐明剥离机制;增加剥离的直径，该工艺能用于2英寸晶片;以及在1.2µm高、400 nm宽、周期为1µm的柱状三角晶格上生长AlGaN异质结构，未来可用于高功率UV LED和LD激光器的制造。
