2月4日，晶盛机电宣布成功发布6英寸双片式SiC碳化硅外延设备，标志着晶盛机电在第三代半导体领域取得重大突破。
据介绍，晶盛机电用时两年开展6英寸双片式SiC外延设备的研发、测试与验证，在外延产能、运营成本等方面已取得国际领先优势，与单片设备相比，新设备单台产能增加70%，单片运营成本降幅可达30%以上，将对新能源产业产生积极影响。
发布会当天，晶盛机电也重点介绍了8英寸SiC衬底片。据介绍，晶盛机电经过一年的研发，成功生长出行业领先的8英寸N型SiC晶体，完成了6英寸到8英寸的扩径和质量迭代，实现8英寸抛光片的开发，晶片性能参数与6英寸晶片相当，今年二季度将实现小批量生产，有望助力我国在第三代半导体材料领域关键核心技术实现自主可控。
晶盛机电战略定位先进材料、先进装备市场，围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大主要半导体材料开发一系列关键设备，业务同时延伸至化合物半导体材料领域。
SiC设备和SiC材料是晶盛机电当下发展的重点，设备涵盖长晶、抛光和外延设备，其中，SiC外延设备已实现批量销售；材料主要是6英寸导电型衬底，现阶段，晶盛机电正在宁夏建设“碳化硅衬底晶片生产项目”，投产后将年产40万片6英寸及以上导电型和半绝缘型SiC衬底。
上述最新成果之外，晶盛机电去年也取得了多项研究成果：首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉；建设了6英寸SiC晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游部分客户验证。
得益于第三代半导体及其他业务不断取得突破，晶盛机电2022年业绩预增，总营收约101.34—113.27亿元，同比增长70%-90%；归属于上市公司股东的净利润约27.39—30.81亿元，同比增长60%-80%。（化合物半导体市场Jenny整理）
