根据京铭资本2月11日发布的消息，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称：天科合达）近期完成了Pre-IPO轮融资，京铭资本体系京铭鸿瑞产业基金、历金铭科产业基金以及青岛汇铸英才产业基金等三支基金参与本轮融资，其他投资人包括国内多家知名投资机构。
据悉，2020年7月，天科合达在科创板申报IPO，2020年10月终止IPO；来到2022年4月，天科合达重启IPO上市辅导工作，2021年11月，北京证监局正式受理了天科合达的IPO辅导备案申请。此次完成Pre-IPO轮融资，意味着天科合达IPO之路更进一步。
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天科合达成立于2006年9月，是我国碳化硅衬底龙头企业，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶衬底制备。
技术方面，作为国内最早实现SiC衬底产业化的企业之一，天科合达在国内率先成功研制出6英寸SiC衬底并掌握了制造技术，相继实现2-6英寸SiC衬底产品的规模化供应。
2020年，天科合达开始开展8英寸导电型SiC单晶衬底的研发工作，目前已突破了8英寸晶体扩径生长和晶片加工等关键技术难题，并在2022年11月发布8英寸导电型SiC单晶衬底。天科合达还计划在2023年实现8英寸衬底产品的小规模量产。
产能方面，天科合达的第三代半导体SiC衬底产业化基地建设项目已于2020年8月开工，总投资约9.5亿元。该项目将建设一条400台/套SiC单晶生长炉及配套切、磨、抛加工设备的SiC衬底生产线，建设完成后将形成12万片6英寸SiC衬底的年产能。
同时，天科合达的参股公司深圳市重投天科半导体有限公司于2021年9月竞得第三代半导体产业链重点产业建设项目用地。2022年8月，项目正式开始施工，并于同年11月封顶。据悉，该项目是广东省2022年重点建设项目、深圳市2022年重大项目，项目建成后将有效弥补国内6英寸SiC单晶衬底和外延产能缺口，并逐步摆脱下游产业对进口SiC材料的依赖。（化合物半导体市场 Winter整理）